전력용 SiC 반도체 응용기술 개발 착수
전력용 SiC 반도체 응용기술 개발 착수
  • 한국에너지신문
  • 승인 2003.01.20 00:00
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화합물반도체의 대표격인 SiC 반도체 연구를 바탕으로 올해부터 고전압·고주파 전력용 소자 개발이 본격적으로 이뤄진다.
산업자원부는 SiC 1단계 기반연구를 기반으로 2단계 사업에서 SiC 반도체의 기술적 가능성을 구체화해 사업화 가능성이 높은 분야를 위주로 시제품 제작에 착수키로 했다.
이에 따라 고전압 SiC 쇼트키 다이오드 개발은 한국전기연구원 주관으로 이츠웰사가 참여해 진행되고 고주파 SiC FET 전력증폭 소장개발은 한국쌍신전기사 주관으로 이뤄진다.
또 SiC 단결정 성장 및 웨이퍼 제조기술은 네오세미테크사에 의해 추진된다.
2단계 사업은 올해부터 내년까지로 46억5,000만원의 사업예산이 투입된다.
SiC를 응용한 반도체는 전력 등 에너지분야에서 사용가치를 인정받고 있는 차세대 반도체로 기존의 실리콘 반도체에 비해 전압이 높고 전류가 많을 뿐만 아니라 고온에서도 동작이 가능해 전력손실을 크게 줄일 수 있다.
이런 이유로 안정적이고 효율적인 전력공급장치 및 자동차, 항공기 같은 고온의 가혹한 환경 등에서 핵심부품으로 사용될 전망이다.
SiC 반도체는 반면 소자를 만드는데 필요한 단결정의 품질이 균등해야 하고 웨이퍼 비용이 실리콘에 비해 수십 배나 비싸기 때문에 상용화를 앞당기기 위해서는 정부지원이 절실한 상황이다.
 반도체 1단계 사업에서 세계 최고 수준의 저전력손실 SiC 반도체인 1,200볼트 고전압 환경에서 전력의 흐름을 조정하는 쇼트키 다이오드 기술을 확보했는데 기존에 비해 20% 정도 전력손실을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 300℃ 고온에서도 안정적으로 동작했다고 밝혔다.

<변국영 기자>

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